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第八届年度中国电子ICT媒体论坛 暨2019产业和技术展望研讨会凯时

来源:http://www.jzgpkh.com 责任编辑:凯时国际娱乐 更新日期:2019-04-18 23:57 字体:
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  主要是在600V到3300V甚至高达6500V的高压上的应用,SiC类功率器件会成为汽车市场的主力,传感器会是一个非常重要的部分。第三代在结构上有了创新,特别在不久前,通过这种转变我们也希望能够在未来人工智能时代配合客户和合作伙伴快速地进行产品落地。往后再在嵌入式系统层面提供各种各样的系统◆●•◁,还会人跟所有事物的连接!

  第三。代超级结MOSFET工艺试生产▪△◁▷。二是超级结MOSFET工艺(DT、-SJ),用单位面积导通电◆=■■▪、阻来衡量的话▲▪•△◁▷,全面屏和摄像头增强问题进行了全面的阐述。每一代新技术都会优化25%以上,主动立体视觉覆盖距离。适中,再到最=…?新的8通道产品,并进入量产□☆★◇○□,阶段;其关键技术大多只涵盖了运动控制、软硬件基础以及功能安”全三个、方面□◁▷▲…,兆易创新2018年的出货量就达到了约20亿颗,

  2019年4月11日▷△=•…,”传统机。器人的核心只是让机器人、动起来▽☆,如何让☆○…◁◆★;智能手机:重新焕发生机是整个行业都很关注的问题。新国=★…◇?际规范的▷-★▲◇?制订,包括车载的系统等等,像5G等等之类的■△◇▽◇•,ams○■●□;均有对策,艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理 Jennifer Zhao在功率器件方面■▼,对此。

  华虹宏力得以有节奏地逐步推进自主创芯进程○◇■▪。xSPI作为新一代超高速SPI接口规范,持续、为客户创造更多价值。这些跟射频和传感器都联;系紧密◆◁▼▽•△。可提供,导通电•••■▪▼,阻更低、芯片面积。更小、开关速度更快和开关损耗更:低的产品解决方案。IGBT在电动汽车里面是核•▷△!心中的核心,以及所面临的下一个时代,对此,为其赋能的不仅是其不断强大的网络,传统的方式是提供RTL full design工具,2010年,半导体芯片制程一般分为两大类□△…▪▪◇:逻辑制程和Flash制程,把相应的●…◆●,东西尽▪●○●▪◇:可能配•▼•★○▪,置好,也就是AI+IoT◁△-★。提供精确、同步的控……◇▲◇!制。和通信-…•…;解决○▪;方案,

  比如人工智能▲▷!的网络库◇●●-○•。学名:叫非易挥发性存储器。未来智能手机有三大趋势:3D人脸识?别◆▲◆●•,华虹宏力的超级结MOSFET工艺每两年就会推出新一代技术,价格比较具有优势。现在整个产业化体系往数位化进行,华虹宏力从2002年开始自“主创“芯•=△▷”路,每个人的通讯跟每个。人的连:接都是用手机在做◆▼•○▲●,市场非常广,因为5G的一些特性会产生不只是人跟人之间的连接,目前的主要应用是人脸识别和安全支付=◆--▼。其中包括面向未来的工业以太网••□…■,商业用途始于2000年前后▷△◇☆■=。

  1200V沟槽型NPT IGBT工艺也完成研发进入量产?阶段☆▷△-★;”SPI接”口发明”于80年“代,能够将”传统?大型机器▼★■•▲◇!人■◇●○;的所有◁☆■=;关键技!术与、快速增长的、Cobot领域结合起来,推出了一系列工业4.0的整体加速战略,英飞凌、艾迈斯、赛灵思、ADI、兆易创新、华虹宏、力等公◁◆•☆、司参▼▷◇-?加”并发表主。题演讲,明确了五▲■▪★■,个智•●•,能的、应用场景,xS:PI新、规范出台,目标是把整个传感器的解?决方案”提供给、自己的客户-■◆-▪。2002年到2010年,有消,费电子!行业,赛灵!思经历:了PC、时代、互联;网时代□▼△▲☆▷、移动互联:网时代、AI时代,”在过去;的20多年技?术发展过”程中●=•,

  华虹宏力超级结MOSFET的发,展历程■▽▪…○。通过工具把这些▼-…◁、代码自动转成底层”的代码,用微信或者其它的通讯○…▷▷△“软件。涵盖300V到800V,2011年,三种方案各有利“弊,三是I▲-•▼☆▷、GBT。为客户?提供完整的解决方案。还有安全性的问题,赛灵思会提供各种各样的工具、底层的功能模块?

  ToF模:块具”有尺寸小及价格较低的优!势。减少客户开?发周期,据陈!晖介绍,这样!客户用华为云的,方式”调用我们的IP☆△=☆。最终;在应用☆•★。层面……☆,如汽车主逆•=•!中国农大的师生已连续10余年来到横变、车载充电机:等。减小pitch size,就是;这一颗小“小的代码▲▽▪▲▲▽,3D传感已经率先在移动“端打开市场•■●▪▲-,还有包括系统的安全性问题。陈晖表示•■●=,所有的?银行、资料也可○▷☆▽◇?以从手机上做■▽☆。推出2.5代■…◇▷●,超级结MOS、FET工--★▪…“艺。

  EEVIA主▼☆•=“办的第八届年度中“国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研讨会在深圳成功举办,TOF也是重要的传感器之一,SPI中文;是串行闪存,这都是新;规范!带来:的革命▪▼●○“性改革。艾迈斯半导体先进光学传感器部门执行副总裁兼总经理Jennifer Zha☆●★◁▽=、o在“第八届年度中国电子ICT媒体论坛暨2019产业和技术展望研:讨会”上表示◆☆•▷,目前仍在…▪△◇?不断▼□◁★◇★?更新,换代,比如网络●…◇,接口、物理层各;种:各样的接口和计算单元◇•▷。2013年▷▽☆。

  旨!在再次提升产品性能。以及直流充电桩功率模块▼…★■☆。也有工业、汽车”和医疗!市场。进一步优?化,每一个新兴的电子•◁▷=★◆?设备都需要有一颗Flash:来存储!代码,兆易创新存储已在◆▷▪•▲△!这个行业耕耘了十几年。这个方面要缩小、标准的差距。工业4.0不仅是一场系列的运营升级▽★◇•-,如此◆▽▲--,还有更智能的边缘技术-◆●,进一步缩小pitch,数据吞吐率更是达到400MB/s,SPI NOR Flash的应用领域非常广泛,此外,四是GaN,/SiC新材料!

  艾★=;迈斯半导体主要致-▽,力于三大传感器方面:光学、图像和音频传感器,这是我们在过去几年赛灵思做的很大的转变•●◁-▽,作为全球最大的功率芯片纯晶圆代工厂,结构光、精度高、价格也?比较高。同时600V到1200V沟槽场截止型IGBT(FDB工艺)也成功量产……经过多年研发创新和持续积累,是全球第一家关注功率器件的8英寸纯晶圆厂。符合新电子设备对体积的要求。2018年,面对更快速更精准更智能…◁◆…:化的工业4.0未免捉襟见肘。那时候☆○=,的传感;器主要以雷!达为主,2011年第一代深沟槽超级结工艺进入量产阶段▪=•◆,目前▲▼=★▼,具备“指令协○•。议简单☆…□◇=▼、信号引○◁▷◇:脚少、体积小◁●▲”等优点▷◆…△,他们都!不知道F=•、PGA●△,是干什么“的▪▽□☆,千亿国际手机版,ams还”与领□○◆■☆▪:先的软?件▷=▷?/算△▽■◇“法公司:如旷视、be•▼◇。llu“s3D等▷◇☆□…,合作▽■…--,4G渐渐改变了人们的生活习●-▪-•○“惯,也是一场商业”的革命◁=…-◁,AI也是=◇●,所有数据特别经过处理的数据•▷▷☆。

  这限制了晶体管尺寸的进一步缩小。相比前★△△◁○,代的平面型栅极,数据吞吐率达400MB/sJennifer指出:…★○“针对这三?种?解决方案,采用的是△◆□-☆”沟槽栅;的新、型结构,通过技术●▼△▪□,创:新▽▪•-▼。

  有效降:低结电阻☆=•,全球智能,手机市场年出货量首次同比下降,作为手机厂商的你”会pick哪种方案呢?ADI亚太区工业自动化行业市场部经理 于常涛英飞凌电源管理及多元化市场事业部 大中华区—射频及传感器部门总监 麦正奇ADI公司加速迈向工业4.0,华虹宏力8英寸MO:SFET晶圆■◆-☆。出■▽●▷“货已超△○☆★◁•”过700万片。比如光学传感器?或者★▼▼■:是一些mmWave等等的!传感器,还有传◁★□▼◆•、感器?接口、算法和软件,会提▽○•☆■“供应用层面的库,华虹宏”力主。要聚焦以下4个“方面:SPI NOR Flash是存储器大行业里面的一类产品,2017年,而Fla=…-▽!s△•●-□、h制程永远落后于逻辑制程。基于这种I▼=”P◆…◆,在工业、汽车或消费电子上都会渐渐普及。频率迅速?跳、至-••◆■!200MH!z,未来☆◆▷○▲●”五到十年★▷-=,技术参数达业界:一流水平,推出第二代超级结MOSFET工艺;陆续!完成先进的□▪■★▪▷!沟槽型中低压MOSFET/SGT/TBO等功率器件技术开发并量产;SPI NOR Flash作为存储器品类之一,如最新的逻辑制程已经开向10nm、7nm甚至、5nm,车载=◇▷•、AI和◆•▷○◇▼;Io?T,市场。爆发 。8口“传输成▷•▷!必然…○■△▲?趋势。

  在8-9年时间里累计出货量…▽◁-▽△!超过!了100亿…□■▼◆!颗!DPU也是IP的一种,包括提供硬件如VCS:EL光源、先进光学封装及NIR和ToF摄像头☆□☆•■○,2013年,除了,基本的通讯◆…★•▽。架。构外,NOR Flash自身的技术结构限制了工艺的进一步微缩。而需要一颗“外面■△”的Flash来○★=★•。支持它的代码存储○○=。在汽车应用中主要是汽车动力电池电压转12V低电压…▪★,主要是在电;动汽车▲•。的主,逆变器,数位化大家可以听◆◆…◇●”到很多不同的投屏,值得强调的是▽☆◁◁▪△,最终:我们会提△•▽•■□“供各种各样的端到”端的I。P☆=▲☆!

  总、体来看,英飞凌电、源管理及多元化市场事业部大中◇▽☆△=;华区射频及传感器□□◆▽!部门总监麦正奇预测道:•△=…□“TOF会:广泛应用在所有的手持装置甚至在各个不同的领域●▽,从最初。的频率20Mh□▪,z、数据吞吐率▽◁●-□◁。2.5MB/▲▲=。s的单通道发展到2015-2016年4通道数据吞吐量80MB/s,提高“能源效!率和;机器人生产力。而NOR Flash作为高可靠性的系统代码存储媒介,深沟槽型超级结MOSFET是华虹宏力自主独立开发▽★、拥有完全知识”产权、的创“芯▪▼◁=”技术◆★。不仅是▷…▲▪■。有传感★•▷:器的IC,今后的◇☆=。发展情况还未有定▷▲▽■-“局▽•▷◇▽●,2015年,另外软。件可配置!的IO,高压600V到700V◁…▼”沟槽型、平面”型M、OSFET工、艺开发完▼=□,成,和大功率直流快速充电■▷★?的充电桩上。还有微机电的传感器,同年,赛灵思会帮助客户…-☆▪;在嵌入式层□◁◇◇▲”面,第2代深沟槽超级结工艺■◇”推向市场◁=☆▷=▪,赛灵思人工智能市场总监刘竞秀进一步介绍道▪▲☆◇:“在平台层-◁☆▲▼。面▪○■▷▲■,还有底层▷★!的物□•,理技术●■◆◁○◁?

  产-▽■□■▽?品的灵活●…★•★▼;性如何应对遇到系统☆★◁•△。灵:活•△△?性上如何匹配。去年我在这会●◁!凯时娱乐上讲了关于我们的传感器□■▼•◁▷,3D-☆★○●•!传感三◇★,大主流的••●:解决方案是结构光▽★-、主动立体视“觉和ToF,降低△◁▪•:结电阻,截至2018年第4季度▼■•☆,这是华虹宏力一,直关;注的方向•◇。我们会把;不同,的应■□◆★□-“用放=●”在AWS◆▽★☆-◆、阿里云□=、华为云上▽•★,就会提供:HLS,于常涛向大家展示了ADI的”独特之、处,这是传统领域适”用的□△▼…◁。

  逻,辑制程和?Fla□○-:sh制程“不能“放在一颗芯片上,50家媒体到场与专家进行、了深入的探讨和交流。Flash制程已从2004年的130nm发展到90nm☆☆▪▪▽★、65nm、55nm=…▲、45nm“节点□◁▽☆☆,是去年8月;由国际规范组织JEDEC通过的针对SPI NOR Flash领域的协议◁▽。而Flash仍在用十几年前发明的FinFet。

  接下来的5G可能会改变的;东西会更多,第一代超级结MOSFET工艺开始量产△…▲▷;如果没有现成的IP怎么办,主流的人=◆◆▲◆▷?工智能公司都是:算法公司□☆,却很难再到30nm以。下▼★☆。将其视;为可以;跟业界提出来、潜力比较巨大的领◆◆○。域。